六方晶格子を有する半導体ボディにトレンチゲート構造を備えた半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：アインゼル・フェリックス=ラインハルト , 前川純一 , 二宮浩康 , 上島類
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-041248
公開番号（公開出願番号）：特開2016-163047
出願日： 2016年03月03日
公開日（公表日）： 2016年09月05日
要約：

【課題】半導体デバイス(500)は、六方晶格子を有する半導体ボディ(100)にトレンチゲート構造を備えている。【解決手段】第1表面(101)の平均表面(101x)は、<1-100>結晶方向に対し所定のオフ角だけ傾斜しており、このオフ角(α)の絶対値は2°〜12°の範囲にある。トレンチゲート構造(150)は、<1-100>結晶方向に沿った向きで延在している。隣り合うトレンチゲート構造(150)間の半導体ボディ(100)の一部分によって、トランジスタメサ部(170)が形成されている。トランジスタメサ部(170)の側壁は、平均表面(101x)に対する法線から、5°を超えない大きさで偏位している。【選択図】図4C

請求項（抜粋）：

半導体デバイスにおいて、六方晶格子を有する半導体ボディ(100)にトレンチゲート構造(150)が設けられており、第1表面(101)の平均表面(101x)は、<1-100>結晶方向に対し所定のオフ角(α)だけ傾斜しており、前記オフ角(α)の絶対値は、2°〜12°の範囲にあり、前記トレンチゲート構造(150)は、前記<1-100>結晶方向に沿った向きで延在しており、隣り合ったトレンチゲート構造(150)の間に、前記半導体ボディ(100)の一部分から成るトランジスタメサ部(170)が形成されており、前記トランジスタメサ部(170)の側壁は、前記平均表面(101x)に対する法線から、5°を超えない大きさで偏位している、半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 29/739 , H01L 27/04

FI (10件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L27/06 102A , H01L29/78 655A , H01L29/78 652K , H01L29/78 652F , H01L29/78 652M , H01L29/78 652H , H01L29/78 652D , H01L29/78 657A

Fターム (14件)：

5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048BF07

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-244400 出願人：インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
炭化珪素半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-288703 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-282188 出願人：日産自動車株式会社

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