特許
J-GLOBAL ID：201803020688427327
半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-283326
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153156
特許番号：特許第6231743号
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層と接する絶縁層を形成し、
前記絶縁層に熱処理を行い、前記絶縁層から水又は水素を低減させた後、前記絶縁層と接する金属膜を形成し、
前記金属膜及び前記絶縁層に対して、プラズマ処理を行うことによって、前記絶縁層に酸素を添加し、且つ前記金属膜を酸化させて、1×1010Ωm以上1×1019Ωm以下の抵抗率を有する金属酸化物膜とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 F
, G02F 1/136
, H01L 27/146 C
, H05B 33/14 A
, H05B 33/14 Z
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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