特許
J-GLOBAL ID：201803020964629079
III族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉村 憲司
, 福井 敏夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-166372
公開番号（公開出願番号）：特開2015-035535
特許番号：特許第6226627号
出願日： 2013年08月09日
公開日（公表日）： 2015年02月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】サファイア基板の上にAlN単結晶が形成されたAlNテンプレート基板と、
該基板上に形成されるアンドープAlN層と、
該アンドープAlN層上に形成されるAlNバッファ層と、
該AlNバッファ層上に形成される超格子積層体と、を有するIII族窒化物半導体エピタキシャル基板において、
前記AlNバッファ層は、1.0×1019/cm3より大きい不純物濃度でSiドープされ、
前記超格子積層体は、前記AlNバッファ層上に、結晶成長方向の平均組成xが0.9<x≦1からなる高Al含有層(AlxGa1-xN)を積層し、さらに結晶成長方向の平均組成yが0<y<xからなる低Al含有層(AlyGa1-yN)と前記高Al含有層とを交互にn組(但し、nは4≦n≦10を満たす整数である)積層してなり、
前記AlNバッファ層側から数えて1番目から(n-2)番目までの前記低Al含有層が、第1の厚みを有し、(n-1)番目の前記低Al含有層が、前記第1の厚みよりも厚い第2の厚みを有し、n番目の前記低Al含有層が、前記第2の厚み以上の第3の厚みを有することを特徴とするIII族窒化物半導体エピタキシャル基板。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/15 ( 200 6.01)
, H01L 29/201 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 29/06 601 W
, H01L 29/06 601 S
, H01L 29/201
