III族窒化物半導体積層ウェハ及びIII族窒化物半導体デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 黒木義樹 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-198746
公開番号（公開出願番号）：特開2011-049488
出願日： 2009年08月28日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：

【課題】破壊電界強度が大きく、結晶欠陥が少ないノーマリーオフ型のIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。【解決手段】III族窒化物半導体積層ウェハ10は、AlNからなり該AlN結晶のc軸に沿った主面27aを有する基板27と、Alを含むIII族窒化物系半導体からなり主面27a上に設けられた第1のAlX1InY1Ga1-X1-Y1N層13と、主面27a上に設けられ、第1のAlX1InY1Ga1-X1-Y1N層13よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなり、第1のAlX1InY1Ga1-X1-Y1N層13とヘテロ接合を成す第2のAlX2InY2Ga1-X2-Y2N層15とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

AlNからなり該AlN結晶のc軸に沿った主面を有する基板と、 Alを含むIII族窒化物系半導体からなり前記主面上に設けられた第1の半導体層と、前記主面上に設けられ、前記第1の半導体層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなり、前記第1の半導体層とヘテロ接合を成す第2の半導体層とを備えることを特徴とする、III族窒化物半導体積層ウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (2件)：

H01L21/205 , H01L29/80 H

Fターム (21件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC19 , 5F045AF04 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102HC01 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (5件)

ショットキーダイオード、電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-093163 出願人：日本電信電話株式会社
有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-513224 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-208389 出願人：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学

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引用文献：

審査官引用 (2件)

"Epitaxial growth of AlN and Al0.5Ga0.5N layers on aluminum nitride substrates"
"Epitaxial growth of AlN and Al0.5Ga0.5N layers on aluminum nitride substrates"

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