半導体素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-110689
公開番号（公開出願番号）：特開2012-243871
出願日： 2011年05月17日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：

【課題】転位密度を低減させるバッファ層を有する半導体素子を提供する。【解決手段】基板と、基板の上方に形成されたバッファ領域と、バッファ領域上に形成された活性層と、活性層上に形成された少なくとも2つの電極とを備え、バッファ領域は、第1の格子定数を有する第1半導体層と、第1の格子定数と異なる第2の格子定数を有する第2半導体層と、第1の格子定数と第2の格子定数との間の第3の格子定数を有する第3半導体層とが順に積層した複合層を少なくとも一層有する半導体素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上方に形成されたバッファ領域と、前記バッファ領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された少なくとも2つの電極とを備え、前記バッファ領域は、第1の格子定数を有する第1半導体層と、前記第1半導体層に接して形成され、第1の格子定数より小さい第2の格子定数を有する第2半導体層と、前記第1の格子定数と前記第2の格子定数との間の第3の格子定数を有する第3半導体層とが順に積層した複合層を少なくとも一層有する半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L21/20 , H01L29/80 H , H01L21/205

Fターム (42件)：

5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA57 , 5F045DA58 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F152LL05 , 5F152LN03 , 5F152LN05 , 5F152LN13 , 5F152LN14 , 5F152LN15 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152NN03 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

エピタキシャルウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-168808 出願人：シャープ株式会社
半導体素子形成用板状基体及びこの製造方法及びこれを使用した半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-392945 出願人：サンケン電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-076235 出願人：サンケン電気株式会社

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