特許
J-GLOBAL ID：201803021445421254

裏面パッシベーションのための装置及び方法

発明者：
ハウリルチャック, ララ

ハウリルチャック, ララ について

, 
トービン, ジェフ

トービン, ジェフ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-126898
公開番号（公開出願番号）：特開2018-195830
出願日： 2018年07月03日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
要約：
【課題】基板に熱処理する際に、基板からの昇華、汚染物質の放出による処理装置の損傷を防止するための、基板の裏面パッシベーションを行う装置及び方法を提供する。【解決手段】裏面パッシベーションシステム100は、基板が支持体リング118上にあるときには、空隙120が長尺支持体内に形成されるように、支持体リングを形成する開放上面を有する長尺支持体110を備える。プラズマ発生装置は、基板裏面にパッシベーション膜を堆積するため、空隙内にプラズマを生成するように空隙に結合されている。プラズマ発生装置は、熱処理装置の基板搬送系内に配置され、基板が熱処理部に搬入される前に、裏面パッシベーションを行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
円筒形本体を有し、基板を保持する長尺基板支持体であって、基板が支持リング上にあるときには、前記円筒形本体及び前記基板が前記長尺基板支持体内に空隙を画定するように、前記基板のエッジ領域によって基板を保持する支持リングを有する開放上面を含む長尺支持体と、 前記基板裏面上にパッシベーション膜を形成するためのプラズマ源と を備える裏面パッシベーションシステム。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/683
FI (2件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/68 N
Fターム (52件)：
5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC15 ,  5F045AE01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB06 ,  5F045BB14 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EH11 ,  5F045EM06 ,  5F045EM07 ,  5F045EN05 ,  5F045HA16 ,  5F058BA05 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG04 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ10 ,  5F131AA02 ,  5F131BA24 ,  5F131BB04 ,  5F131CA15 ,  5F131DA32 ,  5F131DA33 ,  5F131DA36 ,  5F131DA42 ,  5F131DB52 ,  5F131DB72 ,  5F131DB76 ,  5F131EA03 ,  5F131EA24 ,  5F131EB32 ,  5F131EB33 ,  5F131EB54 ,  5F131EB55 ,  5F131EB57 ,  5F131EB72 ,  5F131EB78 ,  5F131EB81 ,  5F131EB82 ,  5F131HA12 ,  5F131HA22
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM