特許
J-GLOBAL ID：200903075088422975
エピタキシャル成長した半導体ウエ-ハを製造するためのCVD反応器及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289361
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150399
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル成長した半導体ウエーハを製造するためのCVD反応器及び方法を提供する。【解決手段】 本発明によるCVD反応器は、上方反応室(2)、下方反応室(3)及び隔壁(4)からなり、該隔壁が円形の貫通開口(5)を有し、該貫通開口内にウエーハのための受容環(6)が配置されている。半導体ウエーハの製造方法は、以下の工程:(a)上記CVD反応器に半導体ウエーハを装填する、(b)加熱源を用いて半導体ウエーハを加熱する、(c)半導体ウエーハの裏面に保護層を堆積させる、(d)半導体ウエーハの前面にエピタキシャル層を堆積させる、(e)CVD反応器からエピタキシャル成長した半導体ウエーハを取出すからなる。【効果】 前記半導体ウエーハを製造するための工程数が少なくなる。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長した半導体ウエーハを製造するためのCVD反応器において、上方反応室(2)、下方反応室(3)及び隔壁(4)からなり、該隔壁が円形の貫通開口(5)を有し、該貫通開口内にウエーハのための受容環(6)が位置決めされていることを特徴とする、エピタキシャル成長した半導体ウエーハを製造するためのCVD反応器。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C30B 25/12
, H01L 21/285
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C30B 25/12
, H01L 21/285 C
