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J-GLOBAL ID:201902212008020590   整理番号:19A0011941

炭化タングステン中間層を用いた水素フリーDLC膜の密着性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of adhesion of hydrogen-free DLC film by employing an interlayer of tungsten carbide
著者 (11件):
資料名:
巻: 1929  号:ページ: 020019-020019-7  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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密着性の低い材料はダイヤモンド状炭素(DLC)膜の応用に対する問題を示す。この問題を解決する方法として,DLC膜と基板の間に金属の中間層を堆積する技術がある。炭化タングステン膜(W-C膜)を中間層として用いた。本研究では,DLC膜の接着に及ぼすW-C中間層の導入の影響を調べた。W-C膜は,カソードとして2種類の超硬合金(WC),Co(WC-Co)を含むもの,およびカソード形状を形成するためのバインダーとしてTi(WC-Ti)を含むものを用いて堆積した。DLC膜に中間層を導入するためには,中間層の膜厚を制御する必要がある。W-C膜の膜厚制御は放電計数器を用いることにより可能となった。DLC膜を-100Vのバイアス電圧を用いて蒸着した。接着を調べる時のW-C中間層とDLC膜の膜厚はそれぞれ30nmと300nmであった。テープ剥離試験の結果は,DLC膜の接着がW-C中間層を採用することにより改善されることを示した。さらに,中間層上の酸化物層を除去することにより,接着はさらに改善された。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  その他の無機化合物の薄膜 
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