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J-GLOBAL ID:201902215398603220   整理番号:19A0873492

GaNエピタキシャル層におけるピラミッド反転ドメインでのマグネシウム偏析の原子分解能構造解析

Atomic resolution structural analysis of magnesium segregation at a pyramidal inversion domain in a GaN epitaxial layer
著者 (7件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 031004.1-031004.4  発行年: 2019年03月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高MgドープGaNエピタキシャル層において,(0001)基底をもつピラミッド反転ドメイン(PIDs)は,数ナノメートル幅をもつことが一般的に観測されている。高角度環状暗視野走査透過型電子顕微鏡により,PID境界構造を明らかにし,以前に提案したMg偏析モデルに関する議論の結論を述べた。Mg原子は境界で単一原子層を形成し,隣接Ga層中のGa原子の1/4を置換した。Mg偏析は電気的に不活性なMg原子を生成し,高MgドープGaNにおける自由キャリア低減の原因となり得ることを説明した。エピタキシャル成長中のPID形成過程も議論した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体の格子欠陥 

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