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J-GLOBAL ID：201902215934429108   整理番号：19A1463538

ターンオンおよびターンオフ中の炭化ケイ素MOSFETにおける電圧変動の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Voltage Variation in Silicon Carbide MOSFETs during Turn-On and Turn-Off

著者 (5件)： Li Hui (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, No. 174, Shazhengjie Road, Shapingba, Chongqing 400044, China) ,  Liao Xinglin (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, No. 174, Shazhengjie Road, Shapingba, Chongqing 400044, China) ,  Hu Yaogang (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, No. 174, Shazhengjie Road, Shapingba, Chongqing 400044, China) ,  Huang Zhangjian (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, No. 174, Shazhengjie Road, Shapingba, Chongqing 400044, China) ,  Wang Kun (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, No. 174, Shazhengjie Road, Shapingba, Chongqing 400044, China)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 10  号： 10  ページ： 1456  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(SiC MOSFET)に関する著者らの限られた知識のために,それらのスイッチング特性に及ぼす温度の影響に関する理論的解析と変化規則性は完全に特性化されておらず,理解されていない。本論文では,ターンオンとターンオフ中のSiC MOSFETに対する電圧変化(DVDs/dt)の解析を理論的および実験的に行った。電圧のターンオフ変動は温度の強い関数ではないが,電圧のターンオン変動は温度と単調な関係を持つ。温度依存性は,真性キャリア濃度の正の温度係数とSiC MOSFET中の電子の実効移動度の負の温度係数の間の競合効果の結果である。電圧と供給電圧の変化,負荷電流,およびゲート抵抗の間の関係についても議論した。SiC MOSFETのためのDVDs/dtの温度ベースの解析モデルを,ターンオン中の電圧降下期間における充電と放電過程の間の内部寄生容量とターンオフ中の立上り期間に関して導出した。計算結果は実験測定に近かった。これらの結果は,SiC MOSFETの可能な接合温度推定法を提供する。SiC MOSFETベースの実用的応用において,DVDs/dt上のターンが感知されるならば,デバイス温度は,DVDs/dt対温度の変化の関係曲線から予測できる。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ターンオフ ,  解析モデル ,  酸化物 ,  放電 ,  温度依存性 ,  温度係数 ,  *ターンオン ,  *電圧 ,  *炭化ケイ素 ,  半導体 ,  漂遊容量 ,  キャラクタリゼーション ,  FET【トランジスタ】 ,  電圧降下

著者キーワード (4件)： パワー半導体装置 ,  温度 ,  スイッチング過渡現象 ,  電圧の変動

分類 (2件)： 電気自動車  (QG07020B) ,  二次電池  (YB04030K)

引用文献 (24件)：

• Hudgins, J. Power electronic devices in the future. IEEE J. Emerg. Sel. Top. Power Electron. 2013, 1, 11-17.
• Jiang, D.; Burgos, R.; Wang, F.; Boroyevich, D. Temperature dependent characteristics of SiC devices: Performance evaluation and loss calculation. IEEE Trans. Power Electron. 2012, 27, 1013-1024.
• Millan, J.; Godignon, P.; Perpina, X.; Perez-Tomas, A.; Rebollo, J. A survey of wide bandgap power semiconductor devices. IEEE Trans. Power Electron. 2014, 29, 2155-2163.
• Zhu, P.; Wang, L.; Ruan, L.G.; Zhang, J.F. Temperature Effects on Performance of SiC Power Transistors (SiC JFET and SiC MOSFET). In Proceedings of the 2015 IEEE European Conference on Power Electronics and Applications (EPE’15 ECCE-Europe), Geneva, Switzerland, 8-10 September 2015; pp. 449-454.
• Lelis, A.J.; Habersat, D.; Green, R.; Ogunniyi, A.; Gurfinkel, M.; Suehle, J.; Goldsman, N. Time dependence of bias-stress-induced SiC MOSFET threshold voltage instability measurements. IEEE Trans. Power Electron. 2008, 55, 1835-1840.

タイトルに関連する用語 (5件)： ターンオン ,  ターンオフ ,  炭化ケイ素MOSFET ,  電圧変動 ,  解析