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J-GLOBAL ID:201902219782940125   整理番号:19A1366124

化学溶液析出法によるZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合による紫外光検出

Chemical Bath Deposition of ZnO Nanorods and UV Light Detection by PEDOT:PSS/ZnO Nanorods Heterojunctions
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巻: 119  号: 34(ED2019 10-26)  ページ: 57-62  発行年: 2019年05月09日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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イオンプレーティング法Ga添加ZnOシード(GZO)層上に化学溶液析出法を用いて垂直配向ZnOナノロッド(NRs)を成長した.走査型電子顕微鏡観察から近接NRs間にギャップが存在することが明らかになった.フォトルミネセンス測定では,成長時間の増加に伴うバンド端発光に対するオレンジ色発光の強度の低下が観察された.PEDOT:PSS/ZnO NRs/GZOヘテロ接合は,暗状態においてSchottky接合の形成による整流性を示し,光照射下では光電流が観察された.光電流はバンド間励起に相当する紫外線照射下で効率よく生成された.光電流の立ち上がり時間と立ち下がり時間は,それぞれ数secおよび数百secと非常に遅かった.これらの挙動は,光電流生成へのNRs表面への酸素分子イオンの吸脱着の関与を示唆している.(著者抄録)
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分類 (2件):
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測光と光検出器一般  ,  半導体薄膜 
引用文献 (24件):

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