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J-GLOBAL ID：201902220795035185   整理番号：19A0890943

低温でのアンモニアガスでのアニーリングによる低温酸化ケイ素膜中のOH結合の高効率除去

Highly effective removal of OH bonds in low-temperature silicon oxide films by annealing with ammonia gas at a low temperature of 175 °C

著者 (1件)： HORITA Susumu (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 3  ページ： 038002.1-038002.4  発行年： 2019年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のN₂ガスと比較して,175°Cの低温におけるアンモニア(NH₃)ガスによるアニーリングは,シリコン有機溶液による200°Cの温度で,大気化学蒸着によって蒸着した酸化ケイ素膜におけるOH結合の除去に非常に効果的であった。Si基板上のアニール膜のFourier変換赤外スペクトルは,OH結合によるピーク高さの減少が,N₂よりもNH₃の方が1.5倍大きいことを示した。この効果はLewis塩基としてのNH₃の触媒作用によって説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *低温 ,  *アンモニア ,  *焼なまし ,  *酸化ケイ素 ,  酸化膜 ,  除去 ,  FTIR分光法 ,  気体 ,  Lewis塩基 ,  窒素ガス ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *アニーリング処理 ,  触媒作用

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (23件)：

• S. Higashi, D. Abe, S. Inoue, and T. Shimoda, Japan. J. Appl. Phys. 40, 4171 (2001).
• M. M. Moslehi, R. A. Chapman, M. Wong, A. Paranjpe, H. N. Najm, J. Kuehn, R. L. Yeakley, and C. J. Davis, IEEE Trans. Electron Devices 39, 4 (1992).
• T. Kawahara, A. Yuuki, and Y. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2925 (1992).
• K. Murase, N. Yabumoto, and Y. Komine, J. Electrochem. Soc. 140, 1722 (1993).
• M. Yoshimaru and T. Yoshie, J. Electrochem. Soc. 145, 2847 (1998).

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  アンモニアガス ,  アニーリング ,  低温酸化 ,  ケイ素膜 ,  高効率