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J-GLOBAL ID：201902222048645339   整理番号：19A1165590

高精度位相シフト電子線ホログラフィーによるIII-V族化合物半導体の精密解析と高速観察への可能性

著者 (6件)： 山本和生 (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  穴田智史 (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  仲野靖孝 (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  野村優貴 (パナソニック) ,  松本実子 (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  平山司 (ファインセラミックスセ ナノ構造研)
資料名： 顕微鏡  (Microscopy)
巻： 54  号： 1  ページ： 31-38  発行年： 2019年04月30日 
JST資料番号： Y0541A  ISSN： 1349-0958  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子線ホログラフィーは,電場や磁場を定量的に観察できる位相計測法として1980年代より発展してきた.特に,高い空間分解能と位相計測精度が得られる位相シフト電子線ホログラフィーは,近年,微細化かつ複雑化してきた化合物半導体デバイスの微弱な電位分布を観察・計測するのに適している.最近,我々は,複数の電子線バイプリズムを用いた位相シフト電子線ホログラフィーにより,n型GaN半導体内部のドーパント濃度分布(10¹⁶/10¹⁷/10¹⁸/10¹⁹atoms/cm³)をクリアに可視化することに成功した。また,TEM内でGaAs p-n接合に電圧を印加しながら,従来以上の高い計測精度で,電位分布,電場分布,電荷密度分布をin situ観察することに成功した.さらに,最近注目されてきた高度画像処理である圧縮センシング技術をホログラムのノイズ除去に適用し,劇的に位相計測精度が向上することがわかってきた.本稿では上記の結果について解説し,本手法の高速観察への可能性も述べる.(著者抄録)

シソーラス用語： *位相シフト ,  *ホログラフィー ,  化合物半導体 ,  構造解析 ,  *窒化ガリウム ,  *ドーパント ,  *濃度分布 ,  *可視化 ,  PN接合 ,  電位分布 ,  分布 ,  密度分布 ,  その場観察 ,  信号再生 ,  信号標本化 ,  雑音除去 ,  精度 ,  *高速化
準シソーラス用語： *電子線ホログラフィー ,  III-V族化合物半導体 ,  電場分布 ,  電荷密度分布 ,  圧縮センシング

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (35件)：

• Gabor, D.: Nature, 161, 777-778 (1948)
• Frabboni, S., Matteucci, G., Pozzi, G. and Vanzi, M.: Phys. Rev. Lett., 55, 2196-2199 (1985)
• McCartney, M.R., Smith, D.J., Hull, R., Bean, J.C., Voelkl, E. and Frost, B.: Appl. Phys. Lett., 65, 2603-2605 (1994)
• Rau, W.D., Schwander, P., Baumann, F.H., Hoppner, W. and Ourmazd, A.: Phys. Rev. Lett., 82, 2614-2617 (1999)
• Sasaki, H., Yamamoto, K., Hirayama, T, Ootomo, S., Matsuda, T., Iwase, F., Nakasaki, R. and Ishii, H.: Appl. Phys. Lett., 89, 244101 (2006)

タイトルに関連する用語 (7件)： 位相シフト ,  電子線ホログラフィー ,  III-V族化合物半導体 ,  精密 ,  解析 ,  観察 ,  可能性