文献

J-GLOBAL ID：201902225667411523   整理番号：19A1408006

単一Electronスピンを用いた動作半導体デバイスにおける内部電場の直接ナノスケールセンシング【JST・京大機械翻訳】

Direct Nanoscale Sensing of the Internal Electric Field in Operating Semiconductor Devices Using Single Electron Spins

著者 (17件)： Iwasaki Takayuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Iwasaki Takayuki (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan) ,  Naruki Wataru (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Tahara Kosuke (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Tahara Kosuke (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan) ,  Makino Toshiharu (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan) ,  Makino Toshiharu (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Kato Hiromitsu (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan) ,  Kato Hiromitsu (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Ogura Masahiko (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan) ,  Ogura Masahiko (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Takeuchi Daisuke (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan) ,  Takeuchi Daisuke (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Yamasaki Satoshi (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan) ,  Yamasaki Satoshi (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Hatano Mutsuko (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Hatano Mutsuko (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 2  ページ： 1238-1245  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子内部の電場は素子の特性を決定する重要な物理的パラメータである。しかし,走査プローブ顕微鏡法に基づく技術は表面のみでのセンシングに限られている。ここでは,単一窒素空格子点(NV)中心を用いたダイヤモンドパワーデバイスにおける内部電場の直接センシングを実証した。素子内部に埋め込まれたNV中心はナノスケール電場センサとして作用する。単一NV中心を含む垂直ダイヤモンドp-i-nダイオードを作製した。150Vまでの印加電圧で逆バイアス条件下で光学的に検出した磁気共鳴測定を行うことにより,磁気共鳴周波数の大きな分裂を見出した。これは,NV中心がi層に形成された空間電荷領域の横電場を感知することを示した。実験的に得られた電場値はデバイスシミュレータによる計算値と良く一致した。さらに,異なるN-V軸を持つNV中心を利用することにより,異なる方向における電場のセンシングを実証した。広バンドギャップ材料における電子スピンを用いたこの直接的で定量的なセンシング法は,動作する半導体デバイスにおける電場を監視する方法を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイオード ,  ダイヤモンド ,  空乏層 ,  *半導体素子 ,  磁気 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  共振周波数 ,  *電場 ,  磁気共鳴 ,  センサ ,  電子スピン ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： デバイスシミュレータ ,  逆バイアス ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノスケール電界センシング ,  半導体装置 ,  ダイヤモンド ,  窒素空孔中心 ,  単一電子スピン

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： スピン ,  半導体デバイス ,  内部電場