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J-GLOBAL ID：201902229381858491   整理番号：19A2933029

さまざまな配向のSrTiO₃基板上に成長したエピタキシャルBi₂SiO₅薄膜の強誘電特性

Ferroelectric properties of epitaxial Bi₂SiO₅ thin films grown on SrTiO₃ substrates with various orientations

著者 (3件)： KODERA Masanori (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIMIZU Takao (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SL  ページ： SLLB04.1-SLLB04.6  発行年： 2019年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 結晶方位 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  エピタクシー ,  *ケイ素酸素酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  強誘電性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  格子整合 ,  ファセット ,  ペロブスカイト型結晶 ,  層状組織
準シソーラス用語： 結晶配向 ,  単結晶基板 ,  エピタクシー成長 ,  *ケイ酸ビスマス ,  酸化物薄膜 ,  強誘電特性 ,  ペロブスカイト構造 ,  層状構造

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 配向 ,  成長 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  強誘電特性