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J-GLOBAL ID：201902230977528716   整理番号：19A0900725

EUVのためのロバストなPSCARプロセスの構築【JST・京大機械翻訳】

Constructing a robust PSCAR process for EUV

著者 (29件)： Carcasi Michael (Tokyo Electron America, Inc. (United States)) ,  Nagahara Seiji (Tokyo Electron Ltd. (Japan)) ,  Shiraishi Gosuke (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Minekawa Yukie (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Ide Hiroyuki (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Kondo Yoshihiro (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Yoshihara Kosuke (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Tomono Masaru (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Shimada Ryo (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Takeshita Kazuhiro (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Moriya Teruhiko (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Japan)) ,  Kamei Yuya (Tokyo Electron Kyushu Ltd. (Belgium)) ,  Nafus Kathleen (Tokyo Electron America, Inc. (Belgium)) ,  Biesemans Serge (Tokyo Electron Europe Ltd. (Belgium)) ,  Nakashima Hideo (Tokyo Electron Ltd. (Japan)) ,  Hori Masafumi (JSR Corp. (Japan)) ,  Maruyama Ken (JSR Corp. (Japan)) ,  Nakagawa Hisashi (JSR Corp. (Japan)) ,  Nagai Tomoki (JSR Corp. (Japan)) ,  Dei Satoshi (JSR Micro N.V. (Belgium)) ,  Miyake Masayuki (JSR Micro N.V. (Belgium)) ,  Naruoka Takehiko (JSR Micro N.V. (Belgium)) ,  Shima Motoyuki (JSR Corp. (Japan)) ,  Vandenberghe Geert (IMEC (Belgium)) ,  De Simone Danilo (IMEC (Belgium)) ,  Foubert Philippe (IMEC (Belgium)) ,  Petersen John S. (IMEC (Belgium)) ,  Oshima Akihiro (Osaka Univ. (Japan)) ,  Tagawa Seiichi (Osaka Univ. (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10583  ページ： 105831M-14  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVリソグラフィーの所有のコストを下げるために,高感度EUVレジストが,EUVスキャナのより高いスループットを可能にすることを探求している。光増感化学増幅レジストTM(PSCAR~TM)を利用する概念は,材料の他の高性能特性(すなわち,分解能,線端粗さ(LER),露光緯度)を維持しながら,レジスト感度を向上させるための有望な解決策である。PSCARは,EUV曝露後のUV曝露とこれらの目標を満たすための選択的吸収を用いる。予備的結果を以前の論文1~8において議論した。PSCARはUV曝露中に露出領域でより多くの酸を生成するために面積選択的光増感機構を利用する。PSCARは,標準的な化学増幅レジストを制限する分解能,線端粗さ,および感度トレードオフ(RLSトレードオフ)関係を破壊する試みである。光増感剤は光酸触媒反応により露出領域で生成され,UV曝露光を選択的に吸収し,曝露領域のみで付加的酸を生成する。材料開発とUV露光均一性は,半導体大量製造のためのPSCAR技術のキー要素である。本論文では,PSCARレジストプロセスロバスト性の改善に向けたアプローチをレビューした。imecにおける実験からの学習結果の化学的EUV曝露サイクルについて議論する。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査装置 ,  半導体 ,  光増感反応 ,  露光 ,  学習 ,  *ロバスト性 ,  スループット ,  大量生産 ,  レジスト ,  分解能 ,  化学増幅レジスト ,  表面粗さ ,  高感度
準シソーラス用語： EUVレジスト ,  EUVリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： EUV ,  ロバスト ,  プロセス ,  構築