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J-GLOBAL ID：201902231594626496   整理番号：19A2226195

フラックスエピタキシー法によるSiC結晶成長

Growth of SiC Crystals by Flux-Mediated Epitaxy

著者 (5件)： 山王堂尚輝 (東北大 大学院工学研究科) ,  小沼碧海 (東北大 大学院工学研究科) ,  山口諒 (東北大 大学院工学研究科) ,  丸山伸伍 (東北大 大学院工学研究科) ,  松本祐司 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： Journal of Flux Growth  (Journal of Flux Growth)
巻： 14  号： 1  ページ： 18-24  発行年： 2019年06月30日 
JST資料番号： L7066A  ISSN： 1881-5316  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： エピタキシャルSiC膜を成長させるために,フラックスエピタクシー(FME)法を適用し,結晶源は基板上の液体フラックスへのパルスレーザ蒸着により気相から供給した。ここでは,FMEにより成長させたSiC膜の二つの例を示した。最初に,溶融Si-Niマクロフラックス液滴を囲む液体様フラックス前駆体膜がその均一成長に重要な役割を果たすSi-Ni薄膜フラックスを用いて,軸上4H-SiC(0001)基板上に高品質3C-SiC薄膜を成長させた。第二に,Al添加剤が基板のポリタイプを安定化するバルクSi-Alフラックスから軸外4H-SiC(0001)基板上に4H-SiC厚膜を成長させた。高温におけるこれらのFME成長過程を理解するために,従来の共焦点レーザ走査顕微鏡を用いた溶液成長界面の新しいその場観察技術を開発し,ナノスケールのSiC溶液界面におけるステップ動力学の定量的解析に成功した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *炭化ケイ素 ,  半導体材料 ,  化学蒸着 ,  パルスレーザ蒸着 ,  その場観察 ,  光学顕微鏡法 ,  表面性状 ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  *フラックス法
準シソーラス用語： 3C-SiC ,  4H-SiC ,  共焦点レーザー走査顕微鏡法 ,  断面透過型電子顕微鏡

分類 (1件)： 結晶成長技術・装置  (BK13020B)

引用文献 (27件)：

• 木本恒暢ら,SiC パワーデバイス最新技術,S&T出版,2010.
• Y. M. Tairove, V. F. Tsvetkov, J. Cryst. Growth, 1978, 43, 209.
• B. M. Epelbaum, D. Hofmann, M. Müller, A. Winnacker, Mater. Sci. Forum, 2000, 338, 107.
• G. Ferro, C. Jacquier, New. J. Chem., 2004, 28, 889.
• M. Soueidan, G. Ferro, O. Kim-Hak, F. Cauwet, B. Nsouli, Cryst. Growth Des., 2008, 8, 1044.

タイトルに関連する用語 (2件)： SiC ,  結晶成長