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J-GLOBAL ID：201902233442312047   整理番号：19A2620216

TEGを用いたAlGaN/GaNヘテロ成長の2DEG側界面電荷への影響

著者 (13件)： 沖田寛昌 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  松橋泰平 (東京工大) ,  SANYAL Indraneel (國立中央大) ,  CHEN Yu-Chih (國立中央大) ,  JU Ying-Hao (國立中央大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (九大) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  CHYI Jen-Inn (國立中央大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E301-12  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【序論】我々は高速動作と低消費電力を両立しうるGaN基板上P/N相補型回路の実現・高性能化のため、分極接合基板[1]において高濃度二次元正孔ガス(2DHG)を利用したPチャネルFETの作製・特性評価などを行ってきた。その過程で、C-V特性に...【本文一部表示】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  薄膜成長 ,  表面電荷 ,  半導体薄膜 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  結晶成長 ,  界面電荷 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  *AlGaN/GaN ,  ダブルヘテロ接合

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

物質索引 (1件)： トリエチルガリウム

タイトルに関連する用語 (7件)： TEG ,  AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  成長 ,  2DEG ,  界面電荷