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J-GLOBAL ID：201902235230678749   整理番号：19A0029332

シリコン上に形成されたナノ構造層の性質【JST・京大機械翻訳】

Properties of nanostructured layers formed on silicon

著者 (4件)： Jurecka Stanislav (Institute of Aurel Stodola, University of Zilina, Liptovsky Mikulas, Slovak Republic) ,  Matsumoto Taketoshi (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, CREST, Japan Science and Technology Agency, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Imamura Kentaro (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, CREST, Japan Science and Technology Agency, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Kobayashi Hikaru (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, CREST, Japan Science and Technology Agency, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1996  号： 1  ページ： 020022-020022-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SSCT法によりシリコン基板上に薄いナノ構造層を形成した。生成した層の微細構造をTEM顕微鏡で実験的に調べた。TEM走査からの形態情報をマルチフラクタル法により解析した。定義されたフラクタル特性を有する一連の理論的に生成された構造をマルチフラクタル法によって特性化し,結果を成形手順の間の実際の構造開発の説明に用いた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フラクタル ,  微細構造 ,  形態 ,  キャラクタリゼーション ,  顕微鏡 ,  *ケイ素 ,  走査 ,  *ナノ構造 ,  マルチフラクタル ,  シリコンウエハ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  ナノ構造 ,  性質