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J-GLOBAL ID：201902239910425140   整理番号：19A1328649

Al₂O₃/4H-SiC構造のSi酸化物中間層に存在する炭素が酸素ラジカル処理による界面反応に及ぼす影響

Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al₂O₃/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment

著者 (9件)： DOI Takuma (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  DOI Takuma (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI Wakana (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI Wakana (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN) ,  SHIBAYAMA Shigehisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKASHITA Mitsuo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAOKA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SB  ページ： SBBD05.1-SBBD05.5  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *炭化ケイ素 ,  *酸化ケイ素 ,  層 ,  *炭素 ,  ラジカル ,  酸素 ,  *不均一系反応 ,  化学蒸着 ,  容量電圧特性 ,  状態密度 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *Si酸化物 ,  中間層 ,  酸素ラジカル ,  *界面反応 ,  ALD【蒸着】 ,  界面準位密度 ,  HAXPES

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (30件)：

• J. A. Cooper, M. R. Melloch, R. Singh, A. Agarwal, and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 49, 658 (2002).
• G. Liu, B. R. Tuttle, and S. Dhar, Appl. Phys. Rev. 2, 021307 (2015).
• T. Kimoto, Japan. J. Appl. Phys. 54, 040103 (2015).
• S. Harada, R. Kosugi, J. Senzaki, W. Cho, K. Fukuda, K. Arai, and S. Suzuki, J. Appl. Phys. 91, 1568 (2002).
• H. Shiomi et al., Japan. J. Appl. Phys. 55, 04ER19 (2016).

タイトルに関連する用語 (7件)： Al2O3 ,  4H-SiC ,  Si酸化物 ,  中間層 ,  炭素 ,  酸素ラジカル ,  界面反応