文献

J-GLOBAL ID：201902242529600776   整理番号：19A1519215

高逆バイアス電圧下の4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果によるフォノン支援光吸収

Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage

著者 (6件)： MAEDA Takuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHI Xilun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HORITA Masahiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 9  ページ： 091302.1-091302.4  発行年： 2018年09月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブバンドギャップ光を照射した4H-SiC p-n接合ダイオードの光電流を調べた。高い逆バイアス条件下で,光電流は逆バイアス電圧の増加と共に著しく増加した。Franz-Keldysh効果によるフォノン支援光吸収を考慮して光電流を計算した。計算した光電流は実験結果と良く一致した。光電流も高温で増加し,これは4H-SiC吸収端の赤方偏移(バンドギャップの収縮)と温度上昇に伴うフォノン占有数の増加により,定量的に説明できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： バイアス ,  *炭化ケイ素 ,  *PN接合 ,  *ダイオード ,  *Franz-Keldysh効果 ,  フォノン ,  光吸収 ,  バンドギャップ ,  光電流 ,  赤方偏移
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  *4H-SiC ,  サブバンドギャップ

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

引用文献 (25件)：

• V. W. Franz, Z. Naturforsch. A 13, 489 (1958) [in German].
• L. V. Keldysh, Sov. Phys. JETP 34, 1138 (1958).
• T. Kimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 040103 (2015).
• M. Bhatnagar and B. J. Baliga, IEEE Trans. Electron Devices 40, 645 (1993).
• H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, and J. Suda, IEEE Electron Device Lett. 33, 1598 (2012).

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス電圧 ,  4H-SiC ,  p-n接合 ,  ダイオード ,  Franz-Keldysh効果 ,  フォノン ,  支援 ,  光吸収