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J-GLOBAL ID：201902245008092399   整理番号：19A1328656

Snドープβ-(AlGa)₂O₃(010)を用いた横電界効果トランジスタの実証

Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)₂O₃(010)

著者 (5件)： OKUMURA Hironori (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  OKUMURA Hironori (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  KATO Yuji (Saga Univ., Saga, JPN) ,  OSHIMA Takayoshi (Saga Univ., Saga, JPN) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SB  ページ： SBBD12.1-SBBD12.5  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  酸化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ドーピング ,  スズ ,  *MESFET ,  絶縁破壊 ,  接触抵抗 ,  Ohm接触 ,  *酸化ガリウム
準シソーラス用語： β-酸化ガリウム ,  金属-半導体電界効果トランジスタ ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 112601 (2015).
• M. Higashiwaki, A. Kuramata, H. Murakami, and Y. Kumagai, J. Phys. D: Appl. Phys. 50, 333002 (2017).
• H. Aida, K. Nishiguchi, H. Takeda, N. Aota, K. Sunakawa, and Y. Yaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 8506 (2008).
• H. Murakami et al., Appl. Phys. Exp. 8, 015503 (2015).
• A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, and S. Yamakoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202A2 (2016).

タイトルに関連する用語 (4件)： Sn ,  ドープ ,  電界効果トランジスタ ,  実証