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J-GLOBAL ID:201902247902446955   整理番号:19A1375726

C5N4Hnイオン注入による双極子結合したNVセンターの形成

著者 (20件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.11p-M113-16  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【はじめに】ダイヤモンド中のNV(Nitrogen Vacancy)センターは、その優れた磁気光学特性から量子ビットとしての応用が期待されている。我々は、孤立したNVセンターの電子スピンを1量子ビットとする量子レジスタの形成に取り組んできた...【本文一部表示】
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分類 (1件):
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半導体の格子欠陥 
物質索引 (1件):
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