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J-GLOBAL ID：201902252033500981   整理番号：19A2399309

メチルシランを用いたBern型イオン源による炭化ケイ素の低エネルギー質量選択イオンビーム蒸着【JST・京大機械翻訳】

Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane

著者 (5件)： Yoshimura Satoru (Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Sugimoto Satoshi (Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Takeuchi Takae (Department of Chemistry, Nara Women’s University, Kitauoyanishi-machi, Nara, Nara 630-8506, Japan) ,  Murai Kensuke (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Kiuchi Masato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 9  ページ： 095051-095051-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bernas型イオン源から得られたメチルシラン誘導フラグメントイオンを低エネルギー質量選択イオンビーム系を用いて調べた。質量エネルギー分析計測定に基づいて,これらのイオンは,H+,H2+,H3+,CH3+,Si+,およびSiCH5+であると決定された。SiCH_5+イオンを選択し,750°CでSi(111)基板に注入した。イオンエネルギーは40eVであった。この注入によりSi基板上に炭化ケイ素膜が形成された。この膜の解析は,このタイプのイオンビーム蒸着法が炭化ケイ素膜を効率的に形成できることを示している。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化 ,  *イオンビーム蒸着 ,  *イオンビーム ,  *炭化ケイ素 ,  分析機器 ,  *イオン源 ,  *イオン ,  基板
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  イオンエネルギー ,  シリコン(111) ,  フラグメントイオン ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  磁性材料  (NA04040H) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

物質索引 (1件)： メチルシラン

タイトルに関連する用語 (6件)： メチルシラン ,  イオン源 ,  炭化ケイ素 ,  低エネルギー ,  質量 ,  イオンビーム蒸着