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J-GLOBAL ID：201902252391169726   整理番号：19A1796903

ショートギャップマグネトロンスパッタリングとバッファー層の組み合わせによるGaドープZnOの抵抗率の低減と均一化

Reduction and uniformization of the resistivity of Ga-doped ZnO by combining short-gap magnetron sputtering and buffer layer

著者 (7件)： MATSUDA Yoshinobu (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  MATSUO Naoki (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  SAKAMOTO Kohei (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  SHINOHARA Masanori (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  SHINOHARA Masanori (National Inst. of Technol., Nagasaki, JPN) ,  FURUSATO Tomohiro (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  YAMASHITA Takahiko (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SE  ページ： SEED04.1-SEED04.5  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  バッファ層 ,  *ガリウム ,  *ドーピング ,  酸化亜鉛 ,  *電気抵抗率
準シソーラス用語： ZnO ,  抵抗率 ,  *低抵抗化 ,  均一化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (32件)：

• J. Aranovich, A. Ortiz, and R. H. Bube, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 994 (1979).
• J. B. Webb, D. F. Williams, and M. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 39, 105 (1981).
• T. Minami, H. Nanto, and S. Takata, Appl. Phys. Lett. 41, 958 (1982).
• T. Minami, H. Nanto, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L280 (1984).
• T. Minami, H. Sato, H. Nanto, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L781 (1985).

タイトルに関連する用語 (7件)： バッファー層 ,  組み合わせ ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  抵抗率 ,  均一化