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J-GLOBAL ID：201902257596470203   整理番号：19A1415480

W原子カプセル封じSiクラスタから成る非晶質SiリッチWシリサイド膜の熱安定性【JST・京大機械翻訳】

Thermal stability of amorphous Si-rich W silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters

著者 (3件)： Okada Naoya (Japan Science and Technology Agency, PRESTO, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan) ,  Uchida Noriyuki (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan) ,  Kanayama Toshihiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 22  ページ： 225308-225308-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WF_6とSiH_4ガス源を用いた熱蒸着により形成された,n≧8のW原子カプセル化Si(WSi_n)クラスタから成る非晶質膜の優れた熱安定性を実証した。構成クラスタの構造が膜の熱安定性にどのように影響するかを決定するために,W原子がSi_nケージ中に完全にカプセル化されていない非カプセル化WSi_nクラスタを含む膜をn≦7で調製した。アニーリングの効果を,500~1100°Cの温度範囲でN_2雰囲気中での10分間の繰り返しアニーリングによるRaman散乱と光吸収測定により調べた。Siの部分結晶化は1100°Cで始まったが,WSi_nクラスタで構成されたWSi_nクラスタから成る膜は,1000°Cまでの同じ非晶質構造に留まった。しかし,n=12の均一組成をもつW原子を完全にカプセル化した。膜が非カプセル化WSi_nクラスタを含むとき,n≦10の平均膜組成でさえ,安定性は減少した。SiとWSi_2の部分結晶化が800°Cでのアニーリング後に観察された。密度汎関数理論計算は,3つのカプセル化WSi_12クラスタから組み立てられた構造が,Si原子が強く結合した構成クラスタの結合トポロジーを保存し,カプセル化WSi_nクラスタから成る膜の高い熱安定性を説明することを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光吸収 ,  結晶化 ,  *熱安定性 ,  *クラスタ ,  *アモルファスシリコン ,  Raman散乱 ,  *カプセル封じ ,  *ケイ素 ,  位相幾何学 ,  真空蒸着 ,  *ケイ化物 ,  焼なまし
準シソーラス用語： 非晶質構造 ,  温度範囲 ,  ケージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子 ,  カプセル封じ ,  Si ,  クラスタ ,  非晶質Si ,  シリサイド ,  熱安定性