文献

J-GLOBAL ID：201902258479043761   整理番号：19A2355662

RFスパッタリングにより堆積した非晶質Ga₂Te₃膜の高信頼性閾値スイッチング挙動

Highly reliable threshold switching behavior of amorphous Ga₂Te₃ films deposited by RF sputtering

著者 (3件)： LEE Dayoon (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Taeho (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  SOHN Hyunchul (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 12  号： 8  ページ： 085504.1-085504.5  発行年： 2019年08月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga₂Te₃は,そのメモリおよび閾値スイッチング特性,並びにメモリ素子応用の可能性のために非常に興味深い。ここでは,2つのターミナルを有する窒化チタン/Ga₂Te₃/窒化チタンのデバイスを作製し,その閾値スイッチングを研究した。電流-電圧測定は,約10nsの高いスイッチング速度で,300Kにおける非晶質Ga₂Te₃薄膜のオボニック閾値スイッチングを示した。ACパルス試験により,10⁹回のスイッチングサイクルで10³の選択性で信頼できるスイッチング耐久性を示した。優れた安定性を有する非晶質Ga₂Te₃は,交差メモリ配列の選択装置のための潜在的材料と考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  *ガリウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *非晶質 ,  信頼性 ,  *閾値 ,  *スイッチング ,  *記憶素子 ,  *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  電流電圧特性 ,  速度 ,  繰返し試験 ,  耐久性 ,  安定性
準シソーラス用語： *テルル化ガリウム ,  高信頼性 ,  メモリ素子 ,  *窒化チタン ,  スイッチング速度 ,  サイクル試験

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (32件)：

• L. Zhang, S. Cosemans, D. J. Wouters, G. Groeseneken, M. Jurczak, and B. Govoreanu, IEEE Trans. Electron Devices 62, 3250 (2015).
• A. L. Lacaita, A. Redaelli, D. Ielmini, F. Pellizzer, A. Pirovano, A. Benvenuti, and R. Bez, IEEE Int. Electron Devices Meet 2004, 911 (2004).
• M. H. R. Lankhorst, J. Non-Cryst. Solids 297, 210 (2002).
• H. Zhu, J. Yin, Y. Xiz, and Z. Liu, Appl. Phys. Lett. 97, 083504 (2010).
• M. J. Lee et al., Nat. Commun. 4, 2629 (2013).

タイトルに関連する用語 (7件)： RFスパッタリング ,  堆積 ,  非晶質 ,  高信頼性 ,  閾値 ,  スイッチング ,  挙動