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J-GLOBAL ID：201902258603819704   整理番号：19A1374495

高エネルギーイオン入射によるSiでの生成電荷分布計測(II)

著者 (8件)： 阿保智 (大阪大 大学院) ,  谷健一 (大阪大 大学院) ,  若家冨士男 (大阪大 大学院) ,  小野田忍 (量研機構) ,  山下隼人 (大阪大 大学院) ,  山下隼人 (JST-さきがけ) ,  宮戸祐治 (大阪大 大学院) ,  阿部真之 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-S224-2  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景・目的】高エネルギーイオンが物質に入射すると、その軌跡に沿って物質内に電子正孔対が生成される。半導体デバイスの場合には、この電荷により記憶情報の反転や計算結果の誤り(ソフトエラー)が発生する。我々の研究グループでは、高エネルギー重イオ...【本文一部表示】

シソーラス用語： ケイ素 ,  *イオン照射 ,  ソフトエラー ,  *接合ダイオード ,  リン ,  ホウ素 ,  電子線誘起電流 ,  電荷 ,  空乏層 ,  *電荷分布
準シソーラス用語： EBIC ,  イオンビーム誘起電荷

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高エネルギーイオン ,  Si ,  電荷分布 ,  計測