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J-GLOBAL ID：201902259952757487   整理番号：19A0875965

金属Cd源を用いた(211)Si基板上の(133)および(211)CdTeの気相エピタクシー【JST・京大機械翻訳】

Vapor Phase Epitaxy of (133) and (211) CdTe on (211) Si Substrates Using Metallic Cd Source

著者 (7件)： Iso Kenji (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Iso Kenji (R&TD Center, Tsukuba Plant, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Ibaraki, Japan) ,  Gokudan Yuya (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Shiraishi Masumi (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Nishikado Minae (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Murakami Hisashi (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Koukitu Akinori (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 48  号： 1  ページ： 454-459  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶CdTe膜を(133)と(211)Si基板上に,金属Cd源をグループII前駆体として用いた気相エピタクシーにより(211)Si基板上に成長させた。エピタキシャル膜の配向はIIとVI前駆体の比に依存した。エピタキシャル膜の配向は,CdTe成長条件下でII/VIの増加により(133)から(211)に変化した。(133)CdTeに対する表面形態は滑らかであったが,(211)CdTeに対する表面は(111),(110),(101)および(100)ファセットを有するヒロックから成っていた。同じ厚さのエピタキシャル膜の半値全幅(FWHM)は,(133)CdTeの結晶品質が(211)CdTeのそれより良いことを示した。(133)と(211)CdTe膜の間の配向の(211)Si基板上への依存性を,ステップ上のステップ流成長とテラス上の自発核形成の間の差によって説明した。Copyright 2018 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ステップ流 ,  *テルル化カドミウム ,  単結晶 ,  前駆体 ,  *気相成長 ,  *カドミウム ,  FWHM ,  ファセット ,  核形成 ,  テラス ,  結晶品質 ,  表面形態 ,  エピタキシャル膜 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： ヒロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CdTe ,  気相エピタクシー ,  双子 ,  II/VI ,  金属カドミウム

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cd ,  Si基板 ,  CdTe ,  気相エピタクシー