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J-GLOBAL ID：201902263226821016   整理番号：19A2263030

反応性スパッタ法によって得られたZrN膜上のCu(111)高配向化

Preferentially oriented Cu(111) on ZrN film obtained by reactive sputtering

著者 (2件)： 佐藤勝 (北見工大 工) ,  武山真弓 (北見工大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 181(CPM2019 37-43)  ページ： 5-7  発行年： 2019年08月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 先に我々は,拡散バリヤとしてZrN膜に着目し,優れたバリヤ特性であることを実証してきた。さらなるEM耐性を向上させるには,Cu膜を(111)面に優先配向させることが望まれている。そこで本研究では,比較的厚い膜厚のZrN膜を用いて,Cu(111)面を優先配向させることができるか検討した。その結果,ZrN膜上にCu(111)面の優先配向が得られることがわかった。得られたZrN膜は,拡散バリヤとしてもCu(111)面を成長させる下地材料としても適用できる材料であることが明らかとなった。(著者抄録)

シソーラス用語： *銅 ,  *配向 ,  ジルコニウム化合物 ,  窒化物 ,  *反応性スパッタリング ,  拡散障壁 ,  下地材料 ,  X線回折 ,  エレクトロマイグレーション

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (10件)：

• C. Ryu, K.-W. Kwon, A. L. S. Loke, H. Lee, T. Nogami, V. M. Dubin, R. A. Kavari, G. W. Ray and S. S. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1113 (1999).
• T. Takewaki, H. Yamada, T. Shibata, T. Ohmi, and T. Nitta, Mater. Chem. And Phys. 41, 182 (1995).
• C. -A. Chang, J. Appl. Phys. 67, 566 (1990).
• A. Cros, M. O. Aboelfotoh, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 67, 3328 (1990).
• M. B. Takeyama, M. Sato, E. Aoyagi, and A. Noya Jpn. J. Appl. Phys. 49, 05FA06 (2010).

タイトルに関連する用語 (3件)： 反応性スパッタ法 ,  Cu ,  配向