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J-GLOBAL ID：201902263244044788   整理番号：19A1375550

ミストCVD法によるn⁺-Si(100)基板上への強誘電体HfO₂薄膜の作製とその電気的特性

著者 (6件)： 田原大祐 (京都工繊大) ,  西中浩之 (京都工繊大) ,  野田実 (京都工繊大) ,  佐藤翔太 (高知工科大) ,  川原村敏幸 (高知工科大) ,  吉本昌広 (京都工繊大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11a-W351-2  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 近年、強誘電性を発現する準安定相二酸化ハフニウム(HfO2)薄膜材料が発見され、非鉛の新しい蛍石構造強誘電体材料として強誘電体キャパシタ/同ゲートトランジスタなどへの応用が精力的に研究されている[1, 2]。本研究では、三次元立体微細構造の...【本文一部表示】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  ウエハ【IC】 ,  *誘電体薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  *電気的性質 ,  積層形コンデンサ ,  ヒステリシス ,  ミストCVD ,  *強誘電体薄膜 ,  分極ヒステリシス ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  *二酸化ハフニウム ,  電気的特性 ,  積層キャパシタ

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ミストCVD法 ,  Si ,  強誘電体 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  作製 ,  電気的特性