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J-GLOBAL ID：201902264503313745   整理番号：19A1918411

超薄分子ドーパント膜の自発パターン形成による遷移金属ジカルコゲナイド電界効果トランジスタの同調【JST・京大機械翻訳】

Tuning Transition-Metal Dichalcogenide Field-Effect Transistors by Spontaneous Pattern Formation of an Ultrathin Molecular Dopant Film

著者 (9件)： Ichimiya Hisashi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Japan) ,  Takinoue Masahiro (Department of Computer Science, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Fukui Akito (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Japan) ,  Miura Kohei (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Japan) ,  Yoshimura Takeshi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Japan) ,  Ashida Atsushi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Japan) ,  Fujimura Norifumi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Japan) ,  Kiriya Daisuke (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Japan) ,  Kiriya Daisuke (PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST), Japan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 12  号： 10  ページ： 10123-10129  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自発的なパターン形成はエネルギー的に有利な過程であり,分子スケールの集合,生物学的会合,および柔らかい材料組織において自然に示される。リソグラフィー技術のような半導体デバイスの作製に広く適用されている反対の領域は膨大なエネルギーを必要とする。ここでは,隣接分子膜の自発パターン形成を用いて,半導体MoS_2とWSe_2素子の特性を調整する概念を提案した。用いた膜は,分子電子ドーパントの10nm厚の超薄膜であり,自発的パターン形成を示し,SiO_2,MoS_2,およびWSe_2を含む基板上の小さな孔,ネットワーク,迷路,およびドットの形態を動的に変換した。これらのパターンは,膜が水と接触するときのみ示され,温度と時間により調整された。パターンの比長は200nm以下で,剥離した~10μm半導体MoS_2とWSe_2フレークよりも十分小さかった。MoS_2とWSe_2の電界効果素子の特性は,素子上の超薄膜のパターン形成過程に従って修正されることが分かった。この概念は,分子膜と外部環境への応答を用いることにより,電子デバイスの作製と最適化に自然に示される自発的パターン形成現象を適用する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  酸化物 ,  フレーク ,  リソグラフィー ,  ドーピング ,  超薄膜 ,  *パターン形成 ,  ネットワーク ,  形態 ,  *ドーパント ,  半導体素子 ,  最適化 ,  半導体 ,  電子素子 ,  改変
準シソーラス用語： 外部環境 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ ,  スピノーダル脱濡れ ,  自然パターン形成 ,  分子ドーピング ,  電荷移動

分類 (5件)： 試料技術  (BA02070O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  気体燃料の製造  (YE02030F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  生体膜一般  (EF04010G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子 ,  ドーパント ,  パターン形成 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  電界効果トランジスタ ,  同調