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J-GLOBAL ID：201902264875065123   整理番号：19A0026438

MOVPEにより成長させたp型GaN層における炭素関連キャリア補償の起源【JST・京大機械翻訳】

The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE

著者 (6件)： Narita Tetsuo (Toyota Central R&D Labs., Inc., Yokomichi, Nagakute 480-1192, Japan) ,  Tomita Kazuyoshi (Toyota Central R&D Labs., Inc., Yokomichi, Nagakute 480-1192, Japan) ,  Tokuda Yutaka (Aichi Institute of Technology, Toyota 470-0392, Japan) ,  Kogiso Tatsuya (Aichi Institute of Technology, Toyota 470-0392, Japan) ,  Horita Masahiro (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kachi Tetsu (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 21  ページ： 215701-215701-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させたp型GaN層における炭素不純物の役割を調べた。異なる炭素濃度[C]を有する軽Mgドープ(~10~17cm~3)p型GaN試料を,成長温度と圧力を制御することによって調製した。温度依存Hall効果分析は[C]の増加と共にドナー濃度の増加を示した。イオン化不純物散乱による移動度限界の結果として,低温移動度も[C]の増加と共に減少した。これらの結果は,MOVPE成長p-GaN層中の炭素原子がイオン化ドナーとして作用し,キャリア補償を引き起こすことを示した。バイアスパルスを用いた深準位過渡分光法(DLTS)は,窒素サイト(C_N)上の炭素の0/-1電荷状態から生じるH_dトラップ(E_V+0.88eV)の存在を検出した。H_dトラップの濃度はp型GaN層の[C]値に密接に対応した。低温でのキャリア凍結を避けるために低周波容量DLTSを用いて,濃度が[C]値に直接比例するH_aトラップ(E_V+0.29eV)を新たに発見した。これらの知見は,H_aトラップがH_dトラップと同一のC_Nに由来することを示唆する。エネルギー準位の以前の理論計算に基づいて,H_aトラップを,C_Nの+1/0ドナー状態に合理的に割り当てることができた。これらの結果は,2つの異なる荷電状態を持つC_Nがn型とp型GaN層の電子と正孔をそれぞれ補償できることを強く示唆した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ドナー ,  *MOCVD ,  凍結 ,  パルス ,  正孔 ,  バイアス ,  *炭素 ,  ドーピング ,  イオン化 ,  温度依存性 ,  エネルギー準位 ,  低温 ,  不純物 ,  移動度

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOVPE ,  成長 ,  GaN ,  炭素 ,  キャリア ,  補償 ,  起源