文献

J-GLOBAL ID：201902265817330202   整理番号：19A1473041

Si(111)基板上の単原子[数式:原文を参照]Si層の電子構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure of a monoatomic [Formula : see text]Si layer on a Si(111) substrate

著者 (17件)： Cameau M. (Sorbonne Universite, Institut de Mineralogie, de Physique des Materiaux et de Cosmochimie (IMPMC), F-75005 Paris, France) ,  Cameau M. (Sorbonne Universite, Institut des NanoSciences de Paris (INSP), F-75005 Paris, France) ,  Yukawa R. (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan) ,  Chen C.-H. (Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Huang A. (Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Ito S. (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Ishibiki R. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8571, Japan) ,  Horiba K. (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan) ,  Obata Y. (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan) ,  Kondo T. (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Kondo T. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8571, Japan) ,  Kumigashira H. (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan) ,  Jeng H.-T. (Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Jeng H.-T. (Physics Division, National Center for Theoretical Sciences, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Jeng H.-T. (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  D’angelo M. (Sorbonne Universite, Institut des NanoSciences de Paris (INSP), F-75005 Paris, France) ,  Matsuda I. (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： 044004  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111),準「[数式:原文を参照]」上の[数式:原文を参照]層のFermi面とバンド分散曲線をシンクロトロン放射を用いた角度分解光電子放出分光法によりマッピングした。Siバルクバンドギャップ内に二つの金属バンドが観測され,これらは[数式:原文を参照]層の電子バンドに帰属された。[数式:原文を参照]特性を持つ基板状態と[数式:原文を参照]状態の間の相互作用から生じるSiバルクバンドギャップ中に付加的なバンドが見出された。本研究は基板上に作製した原子層の電子構造の変化を調べることを目的とした。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi面 ,  *電子構造 ,  光電子放出 ,  *基板 ,  シンクロトロン放射 ,  スペクトロスコピー ,  相互作用 ,  原子層 ,  分散曲線 ,  *単一原子 ,  *シリコン(111)

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  単原子 ,  数式 ,  参照 ,  Si層 ,  電子構造