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J-GLOBAL ID：201902268023027380   整理番号：19A1282903

α-Al2O3(1102)基板上に成長させたSCN膜の構造とElectron移動度【JST・京大機械翻訳】

Structure and Electron Mobility of ScN Films Grown on α-Al2O3(1102) Substrates

著者 (3件)： Ohgaki Takeshi (Electroceramics Group, Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Sakaguchi Isao (Ceramics Surface and Interface Group, Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohashi Naoki (Electroceramics Group, Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 11  号： 12  ページ： 2449  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化スカンジウム(ScN)膜を,分子線エピタクシー法を用いて,α-Al2O3(1102)基板上に成長させ,α-Al2O3(1102)上のScNのヘテロエピタキシャル成長とそれらの電気的性質を研究した。配向関係(100)ScN||(1102)α-Al2O3と[001]ScN∥[1120]α-Al2O3を有するエピタキシャルScN膜を,α-Al2O3(1102)基板上に成長させた。それらの結晶方位異方性は小さいことが分かった。さらに,ScN膜の[100]は成長の初期段階においてα-Al2O3(1102)の[1101]に沿って傾斜していた。膜成長方向とScNの[100]間の傾斜角は1.4~2.0°で,成長温度と共に増加した。ScN膜の結晶性も成長温度の上昇と共に改善した。最高のHall移動度を有する膜は,結晶度と非化学量論組成の間の関係により決定された境界成長条件で得られた。これは,最高の結晶性をもつ膜がScリッチ成長条件下で得られたためである。膜の結晶性の同時改善によるHall移動度の減少は,非化学量論組成に起因するイオン化ドナーによるキャリア散乱の増加によって引き起こされた。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MBE成長 ,  Hall移動度 ,  結晶方位 ,  イオン化 ,  *移動度 ,  窒化 ,  傾斜角 ,  結晶度 ,  異方性 ,  ドナー ,  キャリア散乱 ,  スカンジウム ,  *アルミナ
準シソーラス用語： 成長条件 ,  化学量論組成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化スカンジウム ,  薄膜 ,  ヘテロ構造 ,  電気的性質

分類 (1件)： モルタル,コンクリート  (RA06042H)

引用文献 (25件)：

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タイトルに関連する用語 (4件)： α-AL2O3 ,  成長 ,  ScN ,  移動度