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J-GLOBAL ID：201902268266125145   整理番号：19A1374687

化学的転写法による固定砥粒多結晶シリコンの低反射化と界面準位密度の低減

著者 (6件)： 國枝省吾 (大阪大 産科研) ,  國枝省吾 (JST-CREST) ,  今村健太郎 (大阪大 産科研) ,  今村健太郎 (JST-CREST) ,  小林光 (大阪大 産科研) ,  小林光 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-W934-11  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 結晶シリコン太陽電池は太陽電池市場の約90 %を占めており、その半分以上は安価な多結晶シリコンから作製される。インゴットからのウェーハ切削においても、従来の遊離砥粒法に比べて安価な固定砥粒法が用いられつつある。しかし、固定砥粒法による多結晶...【本文一部表示】

シソーラス用語： 化学プロセス ,  *転写 ,  *砥粒 ,  *ポリシリコン ,  反射率 ,  状態密度 ,  太陽電池 ,  不動態化 ,  形態
準シソーラス用語： *固定砥粒 ,  *多結晶シリコン ,  光反射率 ,  界面準位密度 ,  シリコン太陽電池 ,  パッシベーション ,  表面形状

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学 ,  転写 ,  固定砥粒 ,  多結晶シリコン ,  界面準位密度