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J-GLOBAL ID：201902269356990119   整理番号：19A1375675

4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御(II)

著者 (8件)： 阿部裕太 (筑波大) ,  阿部裕太 (量研) ,  梅田享英 (筑波大) ,  岡本光央 (産業技術総合研) ,  原田信介 (産業技術総合研) ,  佐藤真一郎 (量研) ,  山崎雄一 (量研) ,  大島武 (量研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-70A-16  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.概要 一度の発光イベントで1個のフォトンを放出する点欠陥を単一光子源(SPS)として、量子暗号通信や量子センシングへの応用を目指した研究がダイヤモンドのNVセンターを中心に取り組まれている。近年SiCにおいてもSPSとなる欠陥が相次いで...【本文一部表示】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  MOSFET ,  光源 ,  *電圧 ,  *電圧制御 ,  共焦点レーザ顕微鏡 ,  光学顕微鏡法 ,  放射強度
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  単一光子源 ,  *ゲート電圧 ,  共焦点レーザ蛍光顕微鏡 ,  共焦点レーザー走査顕微鏡法 ,  発光強度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  MOSFET ,  チャネル ,  単一光子源 ,  ゲート ,  電圧制御