Hayashi Yuichiro について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan について
Mitani Takeshi について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan について
Komatsu Naoyoshi について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan について
Kato Tomohisa について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan について
Okumura Hajime について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan について
Journal of Crystal Growth について
表面粗さ について
液滴 について
溶液成長 について
温度分布 について
結晶 について
炭素 について
炭化ケイ素 について
過飽和 について
介在物 について
蒸発 について
トレンチ について
ヒロック について
6H-SiC について
4H-SiC について
A1 ラフニング について
A2 溶液からの成長 について
A2 トップシード溶液成長 について
B1 炭化けい素 について
半導体薄膜 について
4H-SiC について
結晶 について
溶液成長 について
マクロ について
欠陥 について
温度分布 について