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J-GLOBAL ID：201902269387141675   整理番号：19A1941032

4H-SiC結晶の溶液成長におけるマクロ欠陥を抑制するための温度分布の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of temperature distribution to suppress macro-defects in solution growth of 4H-SiC crystals

著者 (5件)： Hayashi Yuichiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Mitani Takeshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Komatsu Naoyoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Kato Tomohisa (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Okumura Hajime (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 523  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次の2つの観点から4H-SiC溶液成長における表面ラフニングを調べた:播種前の種子表面のラフニングと成長中のSiC粒子の接着により生じたラフニング。最初に,メルトバックプロセス前後の種子表面の形態変化を調べた。播種直前の種子表面は,数μmの高さのマクロステップと6H-SiCヒロックで覆われていた。この表面ラフニングは,種子表面上の蒸発溶媒の液滴の凝縮によって引き起こされた。6H-SiCヒロックがトレンチ欠陥の起源であることを見出した。メルトバックプロセスはヒロックを完全に除去し,連続したバルク成長に適した滑らかな表面を生成した。第二に,SiC粒子の形成により生じた表面粗さを調べた。成長表面上のSiC粒子の接着はトレンチ欠陥と多形介在物を導入した。SiC粒子の接着は,溶媒中の炭素過飽和の分布を制御することによって抑制された。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面粗さ ,  液滴 ,  *溶液成長 ,  *温度分布 ,  *結晶 ,  炭素 ,  *炭化ケイ素 ,  過飽和 ,  介在物 ,  蒸発
準シソーラス用語： トレンチ ,  ヒロック ,  6H-SiC ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1 ラフニング ,  A2 溶液からの成長 ,  A2 トップシード溶液成長 ,  B1 炭化けい素

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  結晶 ,  溶液成長 ,  マクロ ,  欠陥 ,  温度分布