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J-GLOBAL ID：201902269901819487   整理番号：19A1107603

InGaN系発光ダイオードの波長依存効率低下に対する実効活性領域体積の低減効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of a Reduced Effective Active Region Volume on Wavelength-Dependent Efficiency Droop of InGaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (4件)： Li Panpan ,  Zhao Yongbing ,  Yi Xiaoyan ,  Li Hongjian
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 8  号： 11  ページ： 2138  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,還元有効活性領域体積によるInGaN系発光ダイオード(LED)の波長依存効率低下現象を調べた。異なる有効活性領域体積を,標準高効率InGaN近紫外,青,緑LEDの効率対電流曲線への理論的適合から抽出できた。活性領域の有効体積は発光波長の増加と共により顕著に減少し,より低いオンセット電流密度とより厳しいドループをもたらすことが分かった。効率低下を軽減する有効な方法として,キャリア密度を低減するために量子井戸(QW)の厚さを増加させることを提案した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  近紫外線 ,  量子井戸 ,  電流密度 ,  *活性部位 ,  電流 ,  *発光ダイオード ,  *発光 ,  *波長 ,  *波長依存性
準シソーラス用語： 高効率 ,  *性能劣化 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  効率低下 ,  キャリア再結合 ,  キャリア局在化

分類 (4件)： リモートセンシング一般  (AD04000L) ,  レーダ  (ND13010H) ,  自然災害  (RA02030M) ,  写真測量,空中写真  (RC02040D)

引用文献 (32件)：

• Shen, Y.C.; Müller, G.O.; Watanabe, S.; Gardner, N.F.; Munkholm, A.; Krames, M.R. Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 141101.
• Delaney, K.T.; Rinke, P.; Van de Walle, C.G. Auger recombination rates in nitrides from first principles. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 191109.
• Iveland, J.; Martinelli, L.; Peretti, J.; Speck, J.S.; Weisbuch, C. Direct Measurement of Auger Electrons Emitted from a Semiconductor Light-Emitting Diode under Electrical Injection: Identification of the Dominant Mechanism for Efficiency Droop. Phys. Rev. Lett. 2013, 110, 177406.
• Schubert, M.F.; Chhajed, S.; Kim, J.K.; Schubert, E.F.; Koleske, D.D.; Crawford, M.H.; Lee, S.R.; Fischer, A.J.; Thaler, G.; Banas, M.A. Effect of dislocation density on efficiency droop in light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 231114.
• Piprek, J.; Li, S. Electron leakage effects on GaN-based light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 2010, 42, 89-95.

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  波長依存 ,  効率低下 ,  活性領域 ,  体積 ,  低減効果