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J-GLOBAL ID：201902271973225953   整理番号：19A2157867

ScAlN圧電薄膜の高品質化に向けたScAl合金スパッタターゲットから発生する負イオンの抑制-電子ビーム溶融,アーク溶融,焼結ScAl合金ターゲットの比較-

著者 (3件)： 柳谷隆彦 (早稲田大 先進理工) ,  柳谷隆彦 (JST-さきがけ) ,  柳谷隆彦 (各務記念材料技研)
資料名： 真空ジャーナル  (Journal of Japan Vacuum Industry Association)
号： 170  ページ： 11-15  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： L8030A  ISSN： 1883-1052  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・現在スマートフォン向けの周波数フィルタとしてFBARフィルタが使用され圧電材料的にはAlNが主力。
・その帯域幅要求への対応用にAlNへのScドープが検討され検討中だが,高濃度ドープした場合の高品質薄膜形成の困難さとスパッタ薄膜から発生する酸素の負イオンと炭化窒素の負イオンが薄膜の結晶配向性と圧電性の劣化促進に関与するらしいが機構などの詳細は不分明。
・今回,製法の異なる3種類のScAlN合金スパッタターゲット(電子ビーム溶融法による自作物,フルヤ金属社製でアーク溶融法と焼結法のもの)から発生する負イオン種を定量測定した結果を紹介。
・夫々の酸素の負イオンと炭化窒素の負イオンのエネルギー分布特性/イオン照射量に関する特性の比較と評価を紹介。

シソーラス用語： *圧電材料 ,  *音響共振器 ,  窒化アルミニウム ,  *薄膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  スパッタリング装置
準シソーラス用語： AlN ,  FBAR ,  スパッタリング堆積 ,  圧電薄膜

分類 (4件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  音響変換器,その他の機器  (BB03060N)

引用文献 (10件)：

• M. Akiyama, T. Kamohara, K, Kano, A. Teshigahara, Y. Takeushi, and N. Kawahara, Adv. Mater., vol. 21, no. 5, pp. 593-596, (2008).
• T. Yanagitani, K. Arakawa, K. Kano, T. Akihiko, and M. Akiyama, Proc. IEEE Ultrason. Symp., pp. 2095-2098, (2010).
• T. Yanagitani, and M. Suzuki, Appl. Phys. Lett., vol. 105, no. 12, 122907, (2014).
• 高柳真司,柳谷隆彦,圧電材料・デバイスシンポジウム2018,pp.81-84
• S.Takayanagi, M. Matsukawa, and T. Yanagitani, Proc. IEEE. Ultrason. Symp.,7728836,(2016).

タイトルに関連する用語 (9件)： 圧電薄膜 ,  高品質化 ,  スパッタターゲット ,  負イオン ,  電子ビーム溶融 ,  アーク ,  溶融 ,  焼結 ,  ターゲット