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J-GLOBAL ID：201902276832662591   整理番号：19A1553156

グラフェン中間層の導入によるInNルミネセンスの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer

著者 (7件)： Dobrovolskas Darius (Institute of Photonics and Nanotechnology, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Arakawa Shingo (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Mouri Shinichiro (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Araki Tsutomu (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Nanishi Yasushi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Mickevicius Juras (Institute of Photonics and Nanotechnology, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Tamulaitis Gintautas (Institute of Photonics and Nanotechnology, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 9  号： 3  ページ： 417  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化インジウム(InN)ルミネセンスは,多層グラフェン中間層の導入により実質的に増強され,グラフェンと窒化物層間の弱いvan der Waals相互作用を介して,サファイア基板上のInNエピ層と窒化ガリウム(GaN)テンプレート間の格子不整合を緩和した。InNエピ層を高周波プラズマ支援分子線エピタクシー(MBE)により堆積し,共焦点顕微鏡を用いた空間分解光ルミネセンス分光法により特性化した。バンドギャップからの発光バンドの小さな青方偏移は,低密度の平衡キャリアと多層グラフェン上のInNの高品質を証明した。~375Cの堆積温度を最適と決定した。多層グラフェン上に堆積したInNエピ層で観察される粒度は除去され,発光強度はグラフェンとInNの間に窒化アルミニウム(AlN)バッファ層を導入することによりさらに増強されることを示した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バッファ層 ,  *ルミネセンス ,  バンドギャップ ,  キャラクタリゼーション ,  発光 ,  粒度 ,  窒化アルミニウム ,  *グラフェン ,  光ルミネセンス ,  窒化ガリウム ,  格子不整合 ,  窒化インジウム ,  エピタキシャル層 ,  多層グラフェン ,  *中間層

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  窒化インジウム ,  分子ビームエピタクシー ,  光ルミネセンス

分類 (3件)： 医用素材  (GA05040H) ,  細胞生理一般  (EF02010S) ,  生薬の薬理の基礎研究  (GX06020J)

引用文献 (21件)：

• Wu, J. When Group-III Nitrides Go Infrared: New Properties and Perspectives. J. Appl. Phys. 2009, 106, 011101.
• Look, D.C.; Lu, H.; Schaff, W.J.; Jasinski, J.; Liliental-Weber, Z. Donor and Acceptor Concentrations in Degenerate InN. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 258.
• Piper, L.F.J.; Veal, T.D.; McConville, C.F.; Lu, H.; Schaff, W.J. Origin of the n-type Conductivity of InN: The Role of Positively Charged Dislocations. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 252109.
• Reshchikov, M.A.; Morkoç, H. Luminescence Properties of Defects in GaN. J. Appl. Phys. 2005, 97, 061301.
• Shubina, T.V.; Toropov, A.A.; Jmerik, V.N.; Kuritsyn, D.I.; Gavrilenko, L.V.; Krasil’nik, Z.F.; Araki, T.; Nanishi, Y.; Gil, B.; Govorov, A.O.; et al. Plasmon-induced Purcell effect in InN/In metal-semiconductor nanocomposites. Phys. Rev. B 2010, 82, 073304.

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  中間層 ,  InN ,  ルミネセンス ,  増強