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J-GLOBAL ID：201902278096224724   整理番号：19A1279256

InSeおよびSb2Se3層状半導体の原子層成長とそれらのヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

Atomic Layer Growth of InSe and Sb2Se3 Layered Semiconductors and Their Heterostructure

著者 (4件)： Browning Robert (Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA) ,  Kuperman Neal (Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA) ,  Moon Bill (Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA) ,  Solanki Raj (Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA)
資料名： Electronics (Web)  (Electronics (Web))
巻： 6  号： 2  ページ： 27  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7178A  ISSN： 2079-9292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C-M-C(C=カルコゲン,M=金属)構造に基づく金属カルコゲナイドは,電気的および光学的デバイスの両方で利用できるいくつかの魅力的な特性を有する。比較的低温で原子層堆積(ALD)により,γ-InSeとSb2Se3の鏡面,大面積膜を成長できることを示した。これらの膜の光学(吸収,Raman),結晶(X線回折)および組成(XPS)特性を測定し,剥離膜について報告されたものと比較し,類似していることが分かった。γ-InSe(本質的n型)の層から成るヘテロ構造とそれに続くダイオード特性を示すSb2Se3(本質的p型)の層を成長させた。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  カルコゲン化物 ,  低温 ,  ダイオード ,  X線回折 ,  結晶
準シソーラス用語： ダイオード特性 ,  大面積 ,  鏡面 ,  *ヘテロ構造 ,  *原子層 ,  *InSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 原子層堆積 ,  ヘテロ構造 ,  PNダイオード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (44件)：

• Chhowalla, M.; Shin, H.S.; Eda, G.; Li, L.J.; Loh, K.P.; Zhang, H. The chemistry of two-dimensional layered transition metal dichalcogenide nanosheets. Nat. Chem. 2013, 5, 263-275.
• Xu, M.; Liang, T.; Shi, M.; Chen, H. Graphene-like two-dimensional materials. Chem. Rev. 2013, 113, 3766-3798.
• Geim, A.K.; Grigorieva, I.V. Van der waals heterostructures. Nature 2013, 499, 419-425.
• Wang, Q.H.; Kalantar-Zadeh, K.; Kis, A.; Coleman, J.N.; Strano, M.S. Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699-712.
• Browning, R.; Plachinda, P.; Padigi, P.; Solanki, R.; Rouvimov, S. Growth of multiple ws2/sns layered semiconductor heterojunctions. Nanoscale 2016, 8, 2143-2148.

タイトルに関連する用語 (5件)： InSe ,  層状 ,  原子層 ,  成長 ,  ヘテロ構造