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J-GLOBAL ID：201902288464737972   整理番号：19A2733968

次世代半導体デバイス用めっき銅配線薄膜の結晶性向上手法の確立

Improvement method of the crystallinity of electroplated copper thin films for next-generation interconnections of electronic devices

著者 (3件)： LIU Jiatong (東北大院) ,  鈴木研 (東北大) ,  三浦英生 (東北大)
資料名： 日本機械学会東北支部総会・講演会講演論文集(Web)  (Proceedings of Conference of Tohoku Branch, Japan Society of Mechanical Engineers (Web))
巻： 2017.52  ページ： 147(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U1727A  ISSN： 2424-2713  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *めっき ,  *銅 ,  配線 ,  *薄膜 ,  結晶度 ,  改良 ,  技術 ,  内部応力 ,  下層 ,  微細構造 ,  柱状晶 ,  格子不整合 ,  X線回折 ,  酸化タンタル ,  物理的性質
準シソーラス用語： 次世代

著者キーワード (12件)： Internal Stress ,  underlayer ,  Microtexture ,  Thin Film ,  Electroplated Cu ,  semiconductor ,  Internal Stress ,  underlayer ,  Microtexture ,  Thin Film ,  Electroplated Cu ,  semiconductor

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 次世代 ,  半導体デバイス ,  めっき ,  銅配線 ,  薄膜 ,  結晶性 ,  手法