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J-GLOBAL ID：201902289779198968   整理番号：19A0367373

高電子移動度(約1500cm²V^-1s^-1)を持つAlGaN/GaNヘテロ構造を作製するための反応性イオンエッチング処理をしたGaN表面上に直接成長したAlGaNの有機金属気相エピタキシャル成長:反応性イオンエッチング損傷層除去の効果

Metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlGaN directly on reactive-ion etching-treated GaN surfaces to prepare AlGaN/GaN heterostructures with high electron mobility (~1500 cm²V^-1s^-1): Impacts of reactive-ion etching-damaged layer removal

著者 (4件)： YAMAMOTO Akio (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KANATANI Keito (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  MAKINO Shinya (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 12  ページ： 125501.1-125501.5  発行年： 2018年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,RIE処理をしたGaN表面上にAlGaN層を直接再成長することにより作製したAlGaN/GaN構造における,反応性イオンエッチング処理したGaN(RIE処理をしたGaN)表面に対するHCl処理の効果を報告する。RIE処理をしたGaN表面を高温HCl溶液に浸漬することにより,損傷層に対応する10~30nm厚さの表面層をエッチングした。HCl処理をしたGaNをNH₃+H₂雰囲気中でアニーリングした後,30nm厚のAl₃₀Ga₇₀N層を成長させた。HCl処理はAlGaN/GaN表面上に観察されたドット状欠陥密度の減少,及びAlGaN/GaN構造の電気データの著しい改善をもたらした。シートキャリア濃度に対する電子移動度の明確な依存性が観測され,得られた最大の電子移動度は約1500cm²V^-1s^-1に増加した。優れた性能を持つ高電子移動度トランジスタ(HEMT)を,HCl処理と金属-絶縁体-半導体(MIS)ゲート構造を用いて作製することに成功した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *素子構造 ,  RIE【エッチング】 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  MOCVD ,  *損傷 ,  塩酸 ,  *表面処理 ,  焼なまし ,  気体 ,  アンモニア ,  同位体交換 ,  欠陥密度 ,  表面欠陥 ,  キャリア密度 ,  HEMT ,  MIS構造 ,  *電子移動度 ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  窒化アルミニウムガリウム ,  水素/重水素交換
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  反応性イオンエッチング ,  GaN ,  AlGaN ,  有機金属気相エピタキシー ,  HCl ,  アニーリング処理 ,  雰囲気ガス ,  水素/ジュウテリウム交換 ,  キャリア濃度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の物理的・機械的性質  (WB02040F)

引用文献 (42件)：

• F. A. Marino, N. Faralli, D. K. Ferry, S. M. Goodnick, and M. Saraniti, J. Phys.: Conf. Ser. 193, 012040 (2009).
• M. Kuzuhara and H. Tokuda, IEEE Trans. Electron Devices 62, 405 (2015).
• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• T. Oka, Y. Ueno, T. Ina, and K. Hasegawa, Appl. Phys. Express 7, 021002 (2014).
• D. Shibata, R. Kajitani, M. Ogawa, K. Tanaka, S. Tamura, T. Hatsuda, M. Ishida, and T. Ueda, IEDM Tech. Dig., 2016, p. 248.

タイトルに関連する用語 (10件)： 電子移動度 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  作製 ,  反応性イオンエッチング ,  成長 ,  有機金属 ,  気相エピタキシャル成長 ,  損傷