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J-GLOBAL ID：201902291437990459   整理番号：19A1455052

室温での表面活性化結合により作製したGaAs/Si界面の結晶度に及ぼすAr原子照射の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

著者 (6件)： Ohno Yutaka (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Miyagawa Reina (Department of Physical Science and Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Nagoya, 466-8555, Japan) ,  Yoshida Hideto (The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Takeda Seiji (The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Liang Jianbo (Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Shigekawa Naoteru (Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, 558-8585, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： LTB-3D  ページ： 2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒ素(As)空格子点は,表面活性化のためにAr原子によって照射されたGaAs表面の下に導入されるが,As格子間原子はより深い領域で共導入される。673Kアニーリング後,As空孔はAs格子間原子の移動によりAs格子間原子との再結合により消失した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒ素 ,  *界面 ,  *アルゴン ,  *ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  格子間原子 ,  焼なまし ,  *結晶度 ,  再結合
準シソーラス用語： *表面活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 室温 ,  表面活性化 ,  作製 ,  GaAs ,  Si ,  界面 ,  結晶度 ,  Ar ,  原子