特許

J-GLOBAL ID：201903000650753499

固体量子メモリ

発明者： 太田 竜一 ,  岡本 創 ,  山口 浩司
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-147539
公開番号（公開出願番号）：特開2019-029511
出願日： 2017年07月31日
公開日（公表日）： 2019年02月21日
要約：

【課題】より容易に固体2準位系の明状態と暗状態との結合状態が制御できるようにする。【解決手段】基板101の上に形成した振動部102に不純物から構成した固体2準位系を形成し、振動部102を励振部103で励振することで振動部102に動的歪を与える。振動部102に動的歪を与えることで、固体2準位系の明状態と暗状態との結合状態を制御する。動的歪を与えて固体2準位系を結合状態とした状態で、振動部102に励起光を照射することで暗状態を励起状態とし、動的歪の印加を停止して非結合状態とすることで、励起状態を保持する。【選択図】 図1A

請求項（抜粋）：

基板の上に変位可能に支持された振動部と、 前記振動部を励振する励振部と、 前記振動部に導入されている不純物から構成された固体2準位系と を備えることを特徴とする固体量子メモリ。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 圧電体薄膜装置および圧電体薄膜装置の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-348081   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体中の不純物準位を利用した光メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-334311   出願人：日本電気株式会社
• 光記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032105   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• A light-hole exciton in a quantum dot