特許
J-GLOBAL ID：201903000901314422

基板を処理する方法

発明者：
田端 雅弘

田端 雅弘 について

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久松 亨

久松 亨 について

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熊倉 翔

熊倉 翔 について

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浅子 竜一

浅子 竜一 について

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石川 慎也

石川 慎也 について

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本田 昌伸

本田 昌伸 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-195950
公開番号（公開出願番号）：特開2019-114778
出願日： 2018年10月17日
公開日（公表日）： 2019年07月11日
要約：
【課題】基板を処理する方法を提供する。【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法が提供される。基板は、被エッチング領域及びパターニングされた領域を有している。パターニングされた領域は、被エッチング領域上に設けられている。方法では、基板の表面上に有機膜が形成される。次いで、処理ガスのプラズマにより、被エッチング領域がエッチングされる。有機膜の形成は、チャンバ内の処理空間の中に基板が配置された状態で実行される。有機膜の形成では、基板に向けて第1の有機化合物を含む第1のガスを供給され、次いで、基板に向けて第2の有機化合物を含む第2のガスが供給される。第1の有機化合物と第2の有機化合物との重合により有機膜を構成する有機化合物が生成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を処理する方法であって、前記基板は、被エッチング領域、及び該被エッチング領域上に設けられたパターニングされた領域を有しており、該方法は、 前記基板の表面上に有機膜を形成する工程と、 有機膜を形成する前記工程の実行後に、処理ガスのプラズマを用いて前記被エッチング領域をエッチングする工程と、 を含み、 有機膜を形成する前記工程は、チャンバ内の処理空間の中に前記基板が配置された状態で実行され、 前記基板に向けて第1の有機化合物を含む第1のガスを供給する工程と、 前記基板に向けて第2の有機化合物を含む第2のガスを供給する工程と、 を含み、 有機膜を形成する前記工程では、前記第1の有機化合物と前記第2の有機化合物との重合により前記有機膜を構成する有機化合物が生成され、第1のガスを供給する前記工程及び第2のガスを供給する前記工程が交互に繰り返される、 基板を処理する方法。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101B
Fターム (35件)：
2G084AA02 ,  2G084BB11 ,  2G084BB27 ,  2G084CC04 ,  2G084CC05 ,  2G084CC12 ,  2G084CC13 ,  2G084CC14 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD15 ,  2G084DD23 ,  2G084DD24 ,  2G084DD38 ,  2G084DD55 ,  2G084FF04 ,  2G084FF15 ,  2G084FF33 ,  5F004AA02 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004EA04 ,  5F004EA12 ,  5F004EA28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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