特許

J-GLOBAL ID：201903001377735918

薄膜トランジスタとその製造方法、及びアレイ基板

発明者： シュエレイ・リアン ,  グアンバオ・フイ ,  ジエ・シャ ,  ファンジェン・ジャン ,  ボユアン・ティエン ,  チゥピン・ヤン ,  リエンマオ・ペン
出願人/特許権者： 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 ,  北京大学
代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-530092
公開番号（公開出願番号）：特表2019-507489
出願日： 2016年11月07日
公開日（公表日）： 2019年03月14日
要約：

本開示は、その活性層に複数のカーボンナノチューブを有する薄膜トランジスタとその製造方法及びアレイ基板を提供する。この製造方法は、少なくとも薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極の間の活性層のチャネル領域を実質的に覆う絶縁層を形成する工程を含み、ここで、絶縁層は、環境から実質的に絶縁され、活性層内の複数のカーボンナノチューブへの影響が十分に小さくなるように構成される。

請求項（抜粋）：

活性層内に複数のカーボンナノチューブを備える薄膜トランジスタの製造方法であって、 少なくとも薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極の間の活性層のチャネル領域を実質的に覆う絶縁層を形成する工程を含み、前記絶縁層は、環境から実質的に絶縁され、前記活性層内の前記複数のカーボンナノチューブへの影響が十分に小さくなるように構成される、薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627F

Fターム (13件)：

5F110AA14 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN37

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-101621   出願人：東レ株式会社
• アルミナ膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-250225   出願人：富士通株式会社
• 有機デバイスとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-248740   出願人：シャープ株式会社
• 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-003628   出願人：ミツミ電機株式会社, 武笠幸一, 末岡和久, 土方健二, 株式会社エスシーテック, アークレイ株式会社