半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田稔 , 臼井尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-003312
公開番号（公開出願番号）：特開2019-125614
出願日： 2018年01月12日
公開日（公表日）： 2019年07月25日
要約：

【課題】表面実装が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置A1は、半導体レーザ素子6と、半導体レーザ素子6を支持する基材1と、基材1に形成され、半導体レーザ素子6への導通経路を構成する配線部5と、を備え、基材1は、z方向一方側を向き且つ半導体レーザ素子6が搭載された搭載面としての第1主面21と、x方向において半導体レーザ素子6に対して一方側に位置する出射部18を有し、半導体レーザ素子6からの光が、出射部18を通じて出射される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を支持する基材と、前記基材に形成され、前記半導体レーザ素子への導通経路を構成する配線部と、を備え、前記基材は、厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体レーザ素子が搭載された搭載面と、前記厚さ方向と直角である第1方向において前記半導体レーザ素子に対して一方側に位置する出射部を有し、前記半導体レーザ素子からの光が、前記出射部を通じて出射される、半導体レーザ装置。

IPC (1件)：

H01S 5/022

FI (1件)：

H01S5/022

Fターム (9件)：

5F173MB02 , 5F173MC30 , 5F173MD04 , 5F173MD45 , 5F173MD59 , 5F173MD62 , 5F173MD65 , 5F173ME22 , 5F173ME32

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-243294 出願人：日亜化学工業株式会社
発光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-232092 出願人：住友電気工業株式会社
発光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-226099 出願人：住友電気工業株式会社

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審査官引用 (6件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-243294 出願人：日亜化学工業株式会社
発光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-232092 出願人：住友電気工業株式会社
発光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-226099 出願人：住友電気工業株式会社

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