特許

J-GLOBAL ID：201903002044051872

ナノ構造体を含む組成物およびナノ構造体を生成する方法

発明者： ウェンツオ・グオ ,  ジエン・チェン ,  ロバート・ダブロー ,  ウィリアム・ピー・フリーマン
出願人/特許権者： ナノシス・インク.
代理人 (4件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-520260
特許番号：特許第6452604号
出願日： 2013年06月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ナノ構造体と、 前記ナノ構造体の表面に結合したC5-C8カルボン酸配位子と、を含み、 前記ナノ構造体がInP/ZnSxSe1-x/ZnSコア/シェル量子ドット[式中、0<x<1]である、組成物。

IPC (11件)：

C09K 11/08 ( 200 6.01) ,  H01L 33/50 ( 201 0.01) ,  C09K 11/70 ( 200 6.01) ,  C09K 11/88 ( 200 6.01) ,  C09K 11/56 ( 200 6.01) ,  C01B 25/08 ( 200 6.01) ,  B82Y 20/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  C01B 19/00 ( 200 6.01) ,  C01G 9/08 ( 200 6.01)

FI (11件)：

C09K 11/08 G ,  H01L 33/50 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/88 ,  C09K 11/56 ,  C01B 25/08 A ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  C01B 19/00 G ,  C01G 9/08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• ナノ結晶でドープしたマトリックス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-521794   出願人：ナノシス・インク.
• III-V族半導体コア-ヘテロシェルナノクリスタル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-516503   出願人：イッサムリサーチデベロップメントカンパニーオブザヘブライユニバーシティオブエルサレム
• 半導体ナノ結晶の表面処理による量子効率の向上
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-262380   出願人：三星電子株式会社
• ナノ構造の分散のための官能基を有するマトリックス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2012-508486   出願人：ナノシス・インク.
• ナノ粒子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-526363   出願人：ナノコテクノロジーズリミテッド